Нов полупроводник ще ни освободи от Закона на Мур

Микроелементът „3 в 1“ има три гейта и може да се използва за създаване на различни PN възли в еднопластов силициев субстрат.

В индустрията на полупроводниците съществува принцип, който с известна точност описва скоростта, с която мощностите на микрочиповете се удвояват – Законът на Мур. Силициевата индустрия се стреми да намали размерите, за да може да се поберат повече транзистори в един чип. Но броят на транзисторите за единица площ не може завинаги да се увеличава експоненциално. При текущите темпове, в началото на следващото десетилетие транзисторите в чиповете ще бъдат толкова малки, че законите от квантовата механика ще им пречат да изпълняват стабилно своето предназначение. Това мотивира едни изследователите да намират начини за подобряване на полупроводниковите технологии, а други да търсят съвсем различен тип изчислителна мощност – квантови чипове.

Изследователи от SUNY-Polytechnic Institute в Олбъни, Ню Йорк, предлагат решение чрез комбинирането на множество функции в нов полупроводников елемент, който може да подобри функционалността на микрочиповете и да опростите тяхната архитектура. Учените доказват, че новият елемент може да замени трите основни типа полупроводникови елементи: PN диод, MOSFET и BJT. Многофункционалният елемент е направен от двумерен волфрамов диселенид (WSe2). Свойствата на този материал бяха открити наскоро, притежава някои обещаващи за електрониката характеристики, тъй като прага на отпушване е регулируем чрез контролиране на дебелината в еднопластова архитектура, за разлика от графена, който в двуизмерен слой е винаги отпушен.

С този мултифункционален полупроводников елемент учените се надяват, че в близкото бъдеще ще можем да произвеждаме по-мощни и ефективни микрочипове с пъти по-малко полупроводникови елементи.

Вашият коментар

Вашият имейл адрес няма да бъде публикуван. Задължителните полета са отбелязани с *